铠侠：2027年 NAND 储存颗粒将实现1000层堆叠，需上五层单元（PLC）技术

不久前，铠侠 CTO 宫岛英史在日本应用物理学会春季学术演讲会上表示，该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。

但这一目标提前了！日前，铠侠（原东芝储存）公布了其 3D NAND 闪存发展蓝图，目标是在2027年就实现1000层堆叠，带来更好的性能，更低的成本。

去年铠侠推出了BiCS8 3D NAND颗粒，通过创新的横向收缩技术，成功将密度提高了50%以上，和其他家站在同一高度，将层数提升至218层，提供1Tb三层单元（TLC）和四层单元（QLC）。

铠侠表示，1000层堆叠的宏伟目标需要进一步探索五层单元（PLC）技术才行，目标是在2027年实现。

目前三星第八代是236层，三星9代 V-NAND 的层数将来到 290层，似乎铠侠更激进。不过铠侠并没有透露接下来1年的计划。

可预见，接下来3D NAND闪存技术竞赛还会继续，而且会更激烈，三星也计划在2030年之前推出超过1000层NAND颗粒，计划引入新型铁电材料来实现这一目标。

更高的密度，将带来更低成本、更大单体容量，以及更好的性能表现，目前来看，各家并没有遇到技术瓶颈，都在快速提升技术，想拉爆对手。

总之，接下来的SSD市场还会继续卷下去，这是好事，未来SSD容量会越来越大。