三星量产3nm芯片，GAA架构，省电45%，性能提升25%

三星电子今天官宣——已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产 3 纳米半导体芯片。这比预期提前至少半年，这也让三星成为全球首家大规模量产 3 纳米芯片半导体厂商。

官方表示，此次量产的3nm工艺使用的是GAA晶体管架构，与传统的 5 纳米芯片相比，可以大幅降低功耗，最高可以降 45% 的功耗，性能却提高 23%，并减少 16% 的面积。

三星还称，第二代 3 纳米 GAA 制造工艺也正在研发中，第二代工艺将使芯片功耗降低达 50%，性能提高 30%，面积减少 35%。

三星没有透露是哪家先享用，有传闻说是三星和中国虚拟货币挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体。

值得一提的是，台积电和英特尔原计划也会在今年下半年和明年下半年开始大规模量产3nm芯片，TOP3金主将率先享用上，比如苹果。